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51.
闭路函子和同纬函子保持同伦正则性 总被引:4,自引:0,他引:4
钱有华 《信阳师范学院学报(自然科学版)》2005,18(1):35-36
证明了闭路函子和同纬函子保持同伦正则性 ,同时构造出了一系列同伦等价的空间 相似文献
52.
钱德凤 《盐城工学院学报(自然科学版)》2005,18(2):47-50
结合某高校校园信息化建设的实践,介绍了使用PowerBuilder9.0作为前台,SQL Server 2000作为后台,开发一个高校人事管理系统的思路、关键技术及设计过程。 相似文献
53.
汉阳铁厂是我国近代唯一的钢轨制造企业,也是我国以现代钢铁技术引进来实现重工业化早期的唯一代表.通过剖析汉阳铁厂的钢轨生产与中国早期铁路建设的这段历史,揭示我国钢铁工业化早期的若干特性,理解我国现代钢铁技术及其工业化是如何发端的. 相似文献
54.
首先介绍了面向对象的软件分析建模的重要性;并在分析比较目前流行的几种面向对象分析建模策略的基础上,着重介绍了在开发青鸟系统系列工具中采用的一种基于面向对象技术的分析建模策略;对分析建模过程中涉及的一些关键问题进行了探讨. 相似文献
55.
斜拉桥扁平钢箱梁的有限混合单元法分析 总被引:20,自引:0,他引:20
同时利用六自由度的梁单元和壳单元模拟桥梁中不同位置扁平钢箱梁,根据平截面假定推导了两种单元在交界面上的约束方程,形成混合单元法.通过算例验证了该方法的正确性,它不仅能够计算构件的应力,还可以计算其整体稳定、局部稳定以及局部稳定与整体稳定的相关作用.利用该方法对苏通大桥进行整体受力计算,得到钢箱梁板件的横桥向和顺桥向应力,分析了钢箱梁顶板应力在横桥向的不均匀性. 相似文献
56.
提出采用共轭凸轮———行星轮系组合机构作为引纬系统解决了4.3米磁性引纬织机大幅宽引纬问题。共轭凸轮机构可满足对引纬工艺要求的控制 ,行星轮系增速可增加引纬幅宽。讨论了通过引纬梭移动裕量和优化确定凸轮机构运动规律克服增速带来的位置精度和惯性力等问题 相似文献
57.
将油莱0guCMS与诸葛菜属间杂种田交一代(BC1),在MS附加不同激素浓度的基本培养基上诱导丛生芽.结果发现,MS+1.5mg/L 6—BA 0.15mg/L NAA对诱导丛生芽有较好的效果,丛生芽增殖系数可达3.2.小芽生根培养基以MS 0.1mg/L NAA的效果较好. 相似文献
58.
on the human tumor cell growth MA Yewei ZHOU Xiaoshan QIAN Xinlai ZHAO Qingzheng YANG Jun GAO Xin LI Yanchun LIU Yuying & WANG Zheng . Cancer Institute Peking Union Medical College Chinese Acad-emy of Medical Sciences Beijing China . Beijing Institute of Blood Transfusion Medicine Beijing China 《科学通报(英文版)》2003,(7)
The human adenovirus type 5 E1A, a tumor- suppressor gene[1], codes for two major related proteins of 243 amino acids (12S) and 289 amino acids (13S) by al-ternative splicing in two exons[2]. Studies have been shown that E1A can regulate expression of many genes and cell cycle[3]. Both in vitro and in vivo experiments indicated that E1A could induce tumor cells differentia-tion, convert tumor cells into an epithelial phenotype, in-hibit tumor cell growth and metastasis and strongly en-ha… 相似文献
59.
HV/CVD Grown Relaxed SiGe Buffer Layers for SiGe HMOSFETs 总被引:2,自引:0,他引:2
High-vacuum/chemical-vapor deposition (HV/CVD) system was used to grow relaxed SiGe buffer layers on Si substrates. Several methods were then used to analyze the quality of the SiGe films. X-ray diffraction and Raman spectroscopy showed that the upper layer was almost fully relaxed. Second ion mass spectroscopy showed that the Ge compositions were step-graded. Transmission electron microscopy showed that the misfit dislocations were restrained to the graded SiGe layers. Tests of the electrical properties of tensile-strained Si on relaxed SiGe buffer layers showed that their transconductances were higher than that of Si devices. These results verify the high quality of the relaxed SiGe buffer layer. The calculated critical layer thicknesses of the graded Si1-xGex layer on Si substrate and a Si layer on the relaxed SiGe buffer layer agree well with experimental results. 相似文献
60.
在无磁场的尘埃等离子体中 ,由冷的尘埃颗粒和热的电子和离子组成的尘埃等离子体 ,对于有限的小振幅的非线性波的运动可以用KdV方程描述 .对由 2种不同温度离子的尘埃等离子体中的弱二维尘埃声波 ,得到了它所满足的KP方程 .并且发现 ,在横向扰动下 ,弱的非线性孤立波在尘埃等离子体中是稳定的 .在这个系统中既存在压缩孤立波又存在稀疏孤立波 相似文献